氮化鎵、碳化硅參數測試儀系統

帶有 KTE 7 軟件的吉時利 S530 系列參數測試系統：氮化鎵、碳化硅參數測試儀提供高速、完全靈活的配置，能夠隨著新應用的出現和需求變化而不斷發展。S530 可進行高達 200 V 的測試，而 S530-HV 可以在任何引腳上進行高達 1100 V 的測試，與競爭解決方案相比，吞吐量提高了 50%。KTE 7 的新增功能是促成直接對接探測器和原有探頭卡重新使用的可選系統測試頭，支持汽車標準 IATF-16949 要求的系統級 ISO-17025 引腳校準，以及從原有的 S600 和 S400 系統進行遷移的*簡單、*順暢的路徑，具有完整的數據關聯性并提高了速度。

540 氮化鎵、碳化硅參數測試系統是一個全自動化的 48 引腳參數測試系統，適用于高達 3kV 的功率半導體器件和結構的晶片級測試。完全集成式 S540 已針對包括碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 在內的*新復合功率半導體材料進行優化，可以在單次測試觸摸中執行所有高電壓、低電壓和電容測試。

S500 氮化鎵、碳化硅參數測試儀、集成式測試系統是高度可配置的、基于儀器的系統，適用于器件、晶片或暗盒級半導體檢定。S500 集成式測試系統基于我們經過驗證的儀器，提供**的測量功能和系統靈活性，并且根據您的需求可進行擴展。獨有的測量能力結合強大而靈活的自動化檢定套件 (ACS) 軟件，提供市場上其他同類系統無法提供的廣泛應用和功能。 

S530 功能

• 靈活的探測器接口選項，包括測試頭，支持原有吉時利和 Keysight 裝置
• 行業標準的 KTE 軟件環境
• 觸摸一次探頭即可完成高壓和低壓參數的測試
• 通過全新系統參考單元 (SRU) 進行全自動系統級校準符合*新質量標準
• KTE 7 中的運行狀況檢查軟件工具*大限度地延長系統正常運行時間和提高數據完整性
• 內置的瞬態過電壓和/或過電流事件保護可*大程度地減少代價高昂的系統停機或對晶片造成損壞
• 符合 ISO-17025 校準要求并支持 IATF-16949 合規性
• 提供 SECS/GEM 與 300 毫米晶圓廠的集成

S540 功能

• 在單次探頭觸摸中自動在多達 48 個引腳上執行所有晶片級參數測試，包括高電壓擊穿、電容和低電壓測量，而無需更改電纜或探頭卡基礎設施
• 在*高達 3kV 的條件下執行晶體管電容測量，如 Ciss、Coss 和 Crss，而無需手動配置測試引腳
• 在高速、多引腳、全自動測試環境中實現低電平測量性能
• 基于 Linux 的 Keithley 測試環境 (KTE) 系統軟件支持輕松進行測試開發和快速執行
• 非常適合于過程集成、過程控制監控和生產芯片分類中的全自動或半自動應用
• 通過*大程度減少測試時間、測試設置時間和占地面積，降低擁有成本，同時實現實驗室級測量性能

S500 功能

• 全量程源測量單元 (SMU) 儀器技術規格，包括 subfemtoamp 測量，確保在幾乎任何設備上都能執行廣泛的測量。
• 適用于內存檢定、電荷泵、單脈沖 PIV（電荷陷阱分析）和 PIV 掃描（自加熱回避）的脈沖生成和超快 I-V。
• 利用支持 Keithley 系統的可擴展 SMU 儀器，提供低或高通道數系統，包括并行測試。
• 適用于測試功率 MOSFET 和顯示驅動器等測試器件的高電壓、電流和功率源測量儀器。
• 開關、探頭卡和布線保證系統完全適用于您的 DUT。

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